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【今日要闻】**量子科技与传统逻辑门：探索CPU运算与量子网络构建的新前沿**
发布时间：
2025-07-23 04:01:24
硅臻携手中国科大团队，实现光量子芯片间量子受控非门隐形传输近日，合肥硅臻芯片技术有限公司（以下简称“硅臻”，国芯科技参股公司）与中国科学技术大学中科院量子信息重点实验室任希锋课题组合作，首次成功实现了两个光量子集成芯片之间的量子受控非门（CNOT门）隐形传输，为构建基于光量子集成芯片的大规模量子网络，实现分布式量子计算等量子信息处理任务提供关键技术支撑。该成果发表于物理学知名期刊Physical
硅臻携手中国科大团队，实现光量子芯片间量子受控非门隐形传输
近日，合肥硅臻芯片技术有限公司（以下简称“硅臻”，国芯科技参股公司）与中国科学技术大学中科院量子信息重点实验室任希锋课题组合作，首次成功实现了两个光量子集成芯片之间的量子受控非门（CNOT门）隐形传输，为构建基于光量子集成芯片的大规模量子网络，实现分布式量子计算等量子信息处理任务提供关键技术支撑。该成果发表于物理学知名期刊Physical Review Letters（《物理评论快报》）上，论文题为“Ch🈳ip-to-Chip Quantum Photonic Controll。
由MOSFET构成的芯片逻辑门的最基本单元CMOS
CMOS 前面是晶体管的介绍，我们继续来讲CMOS的构造与非门也就是逻辑门的最基础的部分。如上图把PMOS的源极与NMOS的漏极相连接我们就得到了一个COMS，我们再来看COMS是如何工作的？ 如上图我们把PMOS的漏极接上高电压，同时把NMOS的源极接上低电压，当我们在他们的栅极A加正向偏压，这时只有NMOS🍈是导通的，所以B电极就与低电压相通了。当我们输入的是正向偏压时，我们就得到了低电压，我们可以设定高电压为1、低电压为0这样就是输入的是1得到的结果是0。反之我们输入反向。
科研进展 | 国立阳明交通大学、谢菲尔德大学：相干噪声下恒定激励稳定子码的容错量子
集体相干噪声对容错量子纠错（FTQEC）构成了挑战，因为它超出了通常的随机噪声模型范畴。尽管恒定激励（CE）码能够自然地规避相干噪声，但在实际噪声模型下使用这些编码的完整容错框架仍有待探索。7月15日，国立阳明交通大学、谢菲尔德大学组成的研究团队发表题为“相干噪声下恒定激励稳定子码的容错量子纠错”的研究论文，Ching-Yi Lai和Pei-Hao Liou为论文共同第一作者，Yingkai Ouyang为论文通讯作者。研究团队介绍了一种基于双轨(guǐ)级(jí)联(lián)的(de)完(wán)整(zhěng)容(róng)错(cuò)架(jià)构(gòu)，用(yòng)于(yú) CE。
电(diàn)子(zi)元(yuán)器(qì)件(jiàn)如(rú)何(hé)实(shí)现(xiàn)CPU的(de)运(yùn)算(suàn)？
3 非(fēi)门(mén) 非(fēi)门(mén)电(diàn)路又(yòu)叫(jiào)“否(fǒu)”运(yùn)算(suàn)，也(yě)称(chēng)求(qiú)“反(fǎn)”运(yùn)算(suàn)，因(yīn)此(cǐ)非(fēi)门(mén)电(diàn)路又(yòu)称(chēng)为(wèi)反(fǎn)相(xiāng)器(qì)。下(xià) 面(miàn)是(shì)由(yóu)MOS管(guǎn)组(zǔ)成(chéng)的(de)电(diàn)路图(tú)。非(fēi)门(mén)只(zhǐ)有(yǒu)一(yī)个(gè)输(shū)入(rù)A，Q作(zuò)为(wèi)输(shū)出(chū)。例(lì)如(rú)A输(shū)入(rù)低(dī)电(diàn)平(píng)，那(nà)么(me)Q就(jiù)会(huì)输(shū)出(chū)高(gāo)电(diàn)平(píng)；转(zhuǎn)换(huàn)为(wèi)二(èr)进(jìn)制(zhì)就(jiù)是(shì)A输(shū)入(rù)0，那(nà)么(me)Q就(jiù)会(huì)输(shū)出(chū)1；反(fǎn)之(zhī)A输(shū)入(rù)1，Q就(jiù)会(huì)得(de)到(dào)0，对(duì)应(yīng)的(de)C语(yǔ)言(yán)运(yùn)算(suàn)表(biǎo)达(dá)式(shì)为(wèi)!0=1。4 异(yì)或(huò)门(mén) 异(yì)或(huò)门(mén)电(diàn)路是(shì)判(pàn)🥔九游断(duàn)两(liǎng)个(gè)输(shū)入(rù)是(shì)否(fǒu)相(xiāng)同(tóng)，“异(yì)或(huò)”代(dài)表(biǎo)不(bù)同(tóng)则(zé)结(jié)果(guǒ)为(wèi)真(zhēn)。即(jí)两(liǎng)个(gè)输(shū)入(rù)电(diàn)平(píng)不(bù)同(tóng)时(shí)得(de)到(dào)高(gāo)电(diàn)平(píng)，如(rú)果(guǒ)输(shū)入(rù)电(diàn)平(píng)相(xiāng)同(tóng)，则(zé)得(de)到(dào)低(dī)电(diàn)平(píng)。下(xià)面(miàn)是(shì)由(yóu)MOS管(guǎn)组(zǔ)成(chéng)的(de)电(diàn)路图(tú)。A和(hé)B作(zuò)为(wèi)输(shū)入(rù)，Q作(zuò)为(wèi)输(shū)。
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